美国20年来首家内核芯片厂：美光拟投资150亿美元建厂

出版人/黄君芝

台积电科技（Micron Technology Inc.）周四宣布，构想于2030年之前企业150亿美元，在田纳西州博伊西（Boise）修造一座从新的尖端存储设备所制造厂。

据指，这将是20年来在美国政府英美建成的第主营缓存闪存所制造的工厂，也是田纳西州有史以来最主要的商业机构企业项目。台积电问到，从新公司将重点为美国政府英美消费市场的汽车和数据中会心等行发放缓存闪存。

这是台积电在《闪存与科学条款》（以下简指“闪存条款”）通过后构想在美国政府进行的多项企业中会的第一项，也是该从新公司将来十年在世界性企业时是1500亿美元用于所制造和研发构想的一部分，其中会都有在2030之前企业400亿美元，在美国政府分多个阶段设立缓存所制造厂。

台积电在一份书面声明中会问到，将从新的所制造的工厂与该从新公司总部的研发中会心修造在同一之外，将大幅提高运营效率，加速技术协同作战，并大大缩短证券交易所时间。不过，台积电不会发放从新的工厂需求量或将生产何种闪存的详细信息。

此外，凭借《闪存条款》发放的优惠，以及田纳西州发放的激励预防措施和州长的赞成，台积电预计，到2030年，从新的工厂将创造大约1.7万个工作机会，其中会都有多达2000个为在台积电科技的必要就业机会。

美国政府布什乔·拜登于本月9日月底订立了商业价值2800亿美元的《闪存条款》，其中会就有520多亿美元是针对器件领域的。此前有假消息指，世界性最主要的存储闪存巨头之一SK海力士也已构想在美国政府选址设立主营先进闪存封装的工厂，并于明年第一季度将近同步进行。

乔·拜登在一份近期书面声明中会说：“台积电现今宣布的假消息，是美国政府的又一次重大胜利。我们将在美国政府所制造电动汽车、闪存、乙太和其他关键部件。”

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